El Q2 ​​Hynix produirà una memòria de procés de 10nm de segona generació

  SK Hynix va revelar recentment que la companyia augmentarà el seu procés de fabricació de DRAM de deu generacions de deu nanòmetres (és a dir, 1X nm) i començarà a vendre la seva tecnologia de fabricació de 10 nanòmetres de segona generació (també coneguda com a 1Ynm) a la segona meitat de la curs. Memòria. L'acceleració de la transició cap a la tecnologia de 10nm permetrà a la companyia augmentar la producció de DRAM, reduint els costos i preparant-se per a la memòria de nova generació.

Els primers productes fabricats amb la tecnologia de producció SK Hynix 1Y nm seran el seu xip de memòria DDR4-3200 de 8 GB. El fabricant diu que pot reduir la dimensió del xip dels dispositius DDR4 de 8 GB en un 20% i reduir el seu consum en un 15% en comparació amb dispositius similars fabricats amb la seva tecnologia de fabricació 1X nm. A més, el proper xip de 8Gb DDR4-3200 de SK hynix té dues millores importants: un esquema de rellotge de quatre fases i la tecnologia de control d'amplificador Sense.

Tot i que aquestes tecnologies són importants fins i tot per a la DDR4 d’enguany, es diu que SK hynix utilitzarà el seu procés de fabricació d’1 mn per fabricar DRAM DDR5, LPDDR5 i GDDR6. Per tant, Hynix ha d’actualitzar la seva tecnologia de fabricació de deu nanòmetres de segona generació el més aviat possible per preparar-se per al futur.