Welcome,{$name}!

/ Tancar sessió
Català
EnglishDeutschItaliaFrançais한국의русскийSvenskaNederlandespañolPortuguêspolskiSuomiGaeilgeSlovenskáSlovenijaČeštinaMelayuMagyarországHrvatskaDanskromânescIndonesiaΕλλάδαБългарски езикAfrikaansIsiXhosaisiZululietuviųMaoriKongeriketМонголулсO'zbekTiếng ViệtहिंदीاردوKurdîCatalàBosnaEuskera‎العربيةفارسیCorsaChicheŵaעִבְרִיתLatviešuHausaБеларусьአማርኛRepublika e ShqipërisëEesti Vabariikíslenskaမြန်မာМакедонскиLëtzebuergeschსაქართველოCambodiaPilipinoAzərbaycanພາສາລາວবাংলা ভাষারپښتوmalaɡasʲКыргыз тилиAyitiҚазақшаSamoaසිංහලภาษาไทยУкраїнаKiswahiliCрпскиGalegoनेपालीSesothoТоҷикӣTürk diliગુજરાતીಕನ್ನಡkannaḍaमराठी
Correu electrònic:Info@Y-IC.com
Inici > Notícies > Denso i UMC Japan Subsidiary USJC per produir semiconductors de potència automobilística

Denso i UMC Japan Subsidiary USJC per produir semiconductors de potència automobilística


Recentment, la filial de Denso i UMC Japan USJC va anunciar una cooperació en la producció de semiconductors de potència automobilística.

Les dues empreses col·laboraran per construir una línia de producció de transistor bipolar de porta aïllada (IGBT) a la Wafer Fab de 300 mm de USJC i té previst començar a produir IGBTS en hòsties de 300 mm al Japó.

Les notícies oficials de Denso mostren que Denso i USJC tenen previst començar a produir IGBTS en hòsties de 300 mm a la primera meitat del 2023. En aquesta cooperació, Denso proporcionarà els seus propis equips IGBT orientats al sistema, combinats amb la tecnologia de fabricació de wafer de 300 mm de USJC,amb l’objectiu de produir semiconductors d’alt rendiment i rendibilitat.Al mateix temps, aquesta cooperació també es recolza en el Ministeri d’Economia, el Comerç i la Indústria de la Cadena de Subministrament de la Cadena de Subministrament de semiconductors de reducció i transformació del carboni.