Primer de la indústria: Samsung Electronics llança la producció massiva de memòria HBM4 i lliura productes comercials als clients

Samsung s'ha convertit en la primera empresa del sector a aconseguir el lliurament comercial de HBM4.

Segons fonts oficials, Samsung va adoptar directament el seu procés DRAM de classe 10nm de sisena generació (1c) i el va combinar amb un procés lògic de 4nm.Això va permetre rendiments estables i un rendiment líder en la indústria des del principi de la producció en massa sense requerir un redisseny addicional.

El vicepresident executiu i cap de desenvolupament de memòria de Samsung Electronics, Sangjun Hwang, va declarar que l'empresa no es basava en dissenys madurs existents, sinó que va optar per aplicar directament processos lògics de 1c DRAM i 4nm a HBM4.Aprofitant els avantatges del procés i les capacitats d'optimització del disseny, l'empresa ha reservat un ampli marge de rendiment per satisfer les demandes d'alt rendiment que creixen contínuament dels clients segons sigui necessari.

Pel que fa al rendiment, HBM4 aconsegueix una velocitat de processament estable d'11,7 Gbps, aproximadament un 46% superior al nivell de 8 Gbps de la indústria, i representa un augment d'1,22 vegades respecte al màxim de 9,6 Gbps de la generació anterior HBM3E.El rendiment màxim pot escalar fins a 13 Gbps per abordar els colls d'ampolla de dades causats per l'ampliació de les mides dels models d'IA.L'amplada de banda de memòria d'una sola pila ha augmentat fins a un màxim de 3,3 TB/s, una millora de 2,7 vegades respecte a HBM3E.

Samsung ofereix capacitats que van des de 24 GB fins a 36 GB mitjançant la tecnologia d'apilament de 12 capes i té previst ampliar la capacitat fins a 48 GB mitjançant l'apilament de 16 capes per alinear-se amb els cicles futurs de demanda dels clients.

Per abordar el consum d'energia i els reptes tèrmics de la duplicació dels pins d'E/S de 1024 a 2048, Samsung va integrar un disseny de baixa potència al xip central.En comparació amb HBM3E, HBM4 aconsegueix un 40% més d'eficiència energètica, un 10% de resistència tèrmica més baixa i un 30% de rendiment tèrmic millorat mitjançant tecnologies bàsiques que inclouen solucions TSV de baixa tensió i optimització PDN.

Samsung afirma que els avenços de HBM4 en rendiment, eficiència energètica i fiabilitat ajudaran els clients del centre de dades a augmentar el rendiment de la GPU alhora que optimitzen el cost total de propietat.

A nivell de fabricació, Samsung aprofitarà la seva capacitat de producció de DRAM i la seva infraestructura dedicada per garantir l'estabilitat de la cadena de subministrament enmig de la creixent demanda de HBM4.

Samsung també té previst ampliar les col·laboracions amb fabricants globals de GPU i clients de centres de dades d'hiperescala, centrant-se en el desenvolupament de productes ASIC de nova generació.

La companyia preveu que les vendes de HBM es triplicaran més del 2026 en comparació amb el 2025, accelerant l'expansió de la capacitat de HBM4.S'espera que HBM4E comenci el mostreig a la segona meitat del 2026, amb mostres personalitzades de HBM lliurades progressivament el 2027 segons les especificacions del client.