TSMC té previst sortir del negoci de Gan, Navitas Semiconductor es converteix en forçar el semiconductor

TSMC va anunciar recentment que es publicarà el seu negoci de Nitride de Gallium (GAN), una decisió que s’implementarà durant els pròxims dos anys i que afectarà el seu client principal, Navitas Semiconductor.Navitas va dir que canviarà els seus requisits de fosa per a components de 650V de TSMC a PowerChip a juliol de 2027 per assegurar la continuïtat de la producció.

La decisió de sortida de TSMC es basa en una avaluació exhaustiva de la demanda del mercat i té com a objectiu centrar -se en àrees de negoci amb més potencial de creixement.La companyia destaca que treballarà estretament amb els seus clients per assegurar una transició fluida durant el període de transició i que no afectarà els seus objectius financers indicats.

TSMC ha estat entrant al mercat de nitrur de Gallium des del 2010 i ha encarregat un Wafer Fab de 6 polzades per a la producció relacionada el 2014. A mesura que la demanda del mercat canvia, TSMC ha decidit canviar el seu enfocament de producció a les tecnologies avançades d’embalatge, un ajust estratègic que també reflecteix la seva previsió de les tendències futures del mercat.

La cooperació entre Nano Semiconductor i TSMC es va iniciar el 2011 i, amb el creixement de la demanda, la inversió hòstia de Nano a TSMC ha augmentat any a any, fins i tot expandint-se a un FAB de 8 polzades el 2021. Ara, amb la sortida de TSMC, Nano semiconductor es convertirà en el poder de semiconductors, convertint-se en el poder semiconductor del major beneficiari del canvi.Les accions de Power Semiconductor es van aixecar ràpidament després que es va anunciar la notícia, demostrant que el mercat és alcista en les seves perspectives futures.

El negoci de nitrur de TSMC té una capacitat mensual d’uns 3.000 a 4.000 hòsties de 6 polzades, i la demanda del nanosemiconductor representa més de la meitat d’això.Amb la sortida de TSMC, LISMC tindrà l’oportunitat d’omplir aquest buit de mercat i ampliar encara més la seva presència al camp de nitrur de Gallium.