Samsung Electronics SF4X UCIE Prototype Chip ha completat amb èxit la seva primera avaluació, amb una amplada de banda de 24 Gbps

Recentment, el xip de prototip SF4X UCIE de Samsung Electronics, basat en un procés 4NM, ha completat amb èxit la seva primera avaluació de rendiment, arribant a un ample de banda de transmissió de 24 Gbps.El 18 de juny, el 18 de juny, va informar la notícia, marcant el important avenç de Samsung en el camp de la informàtica d’alt rendiment (HPC) i la intel·ligència artificial (AI).UCIE (Interfície d’interconnexió de Core Unified) és una UCIE universal (interfície d’interconnexió de nucli unificat) és un estàndard d’interconnexió de nucli universal que permet que els nuclis de diferents fonts i processos interconnectin i es comuniquin, integrant així l’ecosistema de nuclis fragmentats en una plataforma unificada.

Samsung va optimitzar el seu procés l'any passat per donar suport al desenvolupament de la UCIE IP, i el funcionament amb èxit d'aquest prototip de xip sota dissenys existents significa que la seva tecnologia ha fet un pas important cap a la producció de masses comercials.A continuació, Samsung té previst ampliar aquesta tecnologia al node 2nm més avançat per millorar encara més el rendiment del xip i l’abast de l’aplicació.